ຍິນດີຕ້ອນຮັບສູ່ເວັບໄຊທ໌ຂອງພວກເຮົາ!

ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງ Silicon Carbide Grit ຂະໜາດກາງທີ່ລະເບີດຍາກທີ່ສຸດ

ການລະເບີດຂະໜາດກາງຂອງ Silicon Carbide Grit ຍາກທີ່ສຸດ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Silicon Carbide Grit

ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງເຄມີທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີ, ຊິລິໂຄນ carbide ມີການນໍາໃຊ້ອື່ນໆຈໍານວນຫຼາຍນອກເຫນືອຈາກການນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງຂັດ. ຕົວຢ່າງ, ຝຸ່ນຊິລິໂຄນຄາໄບແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ກັບ impeller ຫຼືກະບອກຂອງ turbine ນ້ໍາໂດຍຂະບວນການພິເສດ. ກໍາແພງພາຍໃນສາມາດປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ແລະຍືດອາຍຸການບໍລິການຂອງຕົນ 1 ຫາ 2 ເທື່ອ; ວັດສະດຸ refractory ຊັ້ນສູງທີ່ເຮັດຈາກມັນມີຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ, ຂະຫນາດນ້ອຍ, ນ້ໍາຫນັກເບົາ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງແລະປະສິດທິພາບການປະຫຍັດພະລັງງານທີ່ດີ. silicon carbide ຊັ້ນຕ່ໍາ (ປະກອບດ້ວຍປະມານ 85% ຂອງ SiC) ເປັນ deoxidizer ທີ່ດີເລີດ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Junda Silicon Carbide Grit ແມ່ນສື່ລະເບີດທີ່ຍາກທີ່ສຸດທີ່ມີຢູ່. ຜະລິດຕະພັນຄຸນນະພາບສູງນີ້ຖືກຜະລິດເປັນຮູບຊົງເມັດພືດເປັນລ່ຽມ. ສື່ມວນຊົນນີ້ຈະທໍາລາຍລົງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງສົ່ງຜົນໃຫ້ແຫຼມ, ຕັດຂອບ. ຄວາມແຂງຂອງ Silicon Carbide Grit ຊ່ວຍໃຫ້ເວລາລະເບີດສັ້ນກວ່າທຽບກັບສື່ທີ່ອ່ອນກວ່າ.

Silicon carbide ມີຄວາມແຂງສູງຫຼາຍ, ມີຄວາມແຂງ Mohs ຂອງ 9.5, ເປັນອັນດັບສອງຂອງເພັດແຂງທີ່ສຸດໃນໂລກ (10). ມັນມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ເປັນ semiconductor, ແລະສາມາດຕ້ານການຜຸພັງໃນອຸນຫະພູມສູງ.

ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງເຄມີທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີ, ຊິລິໂຄນ carbide ມີການນໍາໃຊ້ອື່ນໆຈໍານວນຫຼາຍນອກເຫນືອຈາກການນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງຂັດ. ຕົວຢ່າງ, ຝຸ່ນຊິລິໂຄນຄາໄບແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ກັບ impeller ຫຼືກະບອກຂອງ turbine ນ້ໍາໂດຍຂະບວນການພິເສດ. ກໍາແພງພາຍໃນສາມາດເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່ແລະຍືດອາຍຸການບໍລິການຂອງຕົນ 1 ຫາ 2 ເທົ່າ; ວັດສະດຸ refractory ທີ່ເຮັດຈາກມັນມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອາການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ, ຂະຫນາດນ້ອຍ, ນ້ໍາຫນັກເບົາ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງແລະປະສິດທິພາບການປະຫຍັດພະລັງງານທີ່ດີ. silicon carbide ຊັ້ນຕ່ໍາ (ປະກອບດ້ວຍປະມານ 85% ຂອງ SiC) ເປັນ deoxidizer ທີ່ດີເລີດ. ມັນສາມາດເລັ່ງຄວາມໄວການຜະລິດເຫຼັກກ້າ, ແລະສ້າງຄວາມສະດວກໃນການຄວບຄຸມອົງປະກອບທາງເຄມີແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງເຫຼັກກ້າ. ນອກຈາກນັ້ນ, silicon carbide ຍັງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເພື່ອເຮັດໃຫ້ rods silicon carbide ສໍາລັບອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນໄຟຟ້າ.

ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງ Silicon Carbide Grit
ຂະຫນາດຕາຫນ່າງ	ຂະໜາດອະນຸພາກສະເລ່ຍ(ຈໍານວນຕາຫນ່າງນ້ອຍກວ່າ, ເມັດທີ່ຫຍາບຄາຍ)
8 ຕາຫນ່າງ	45% 8 mesh (2.3 mm) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
10 ຕາຫນ່າງ	45% 10 mesh (2.0 mm) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
12 ຕາຫນ່າງ	45% 12 ຕາຫນ່າງ (1.7 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
14 ຕາຫນ່າງ	45% 14 ຕາຫນ່າງ (1.4 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
16 ຕາຫນ່າງ	45% 16 ຕາຫນ່າງ (1.2 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
20 ຕາຫນ່າງ	70% 20 ຕາຫນ່າງ (0.85 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
22 ຕາຫນ່າງ	45% 20 mesh (0.85 mm) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
24 ຕາຫນ່າງ	45% 25 ຕາຫນ່າງ (0.7 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
30 ຕາຫນ່າງ	45% 30 mesh (0.56 mm) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
36 ຕາຫນ່າງ	45% 35 ຕາຫນ່າງ (0.48 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
40 ຕາຫນ່າງ	45% 40 mesh (0.42 mm) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
46 ຕາຫນ່າງ	40% 45 ຕາຫນ່າງ (0.35 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
54 ຕາຫນ່າງ	40% 50 ຕາຫນ່າງ (0.33 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
60 ຕາຫນ່າງ	40% 60 ຕາຫນ່າງ (0.25 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
70 ຕາຫນ່າງ	40% 70 ຕາຫນ່າງ (0.21 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
80 ຕາຫນ່າງ	40% 80 ຕາຫນ່າງ (0.17 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
90 ຕາຫນ່າງ	40% 100 mesh (0.15 mm) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
100 ຕາຫນ່າງ	40% 120 mesh (0.12 mm) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
120 ຕາຫນ່າງ	40% 140 ຕາຫນ່າງ (0.10 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
150 ຕາຫນ່າງ	40% 200 ຕາຫນ່າງ (0.08 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
180 ຕາຫນ່າງ	40% 230 ຕາຫນ່າງ (0.06 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
220 ຕາຫນ່າງ	40% 270 ຕາຫນ່າງ (0.046 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
240 ຕາຫນ່າງ	38% 325 ຕາຫນ່າງ (0.037 ມມ) ຫຼືໃຫຍ່ກວ່າ
280 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 33.0-36.0 micron
320 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 26.3-29.2 micron
360 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 20.1-23.1 micron
400 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 15.5-17.5 micron
500 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 11.3-13.3 micron
600 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 8.0-10.0 micron
800 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 5.3-7.3 micron
1000 ຕາຫນ່າງ	ປານກາງ: 3.7-5.3 micron
1200Mesh	ປານກາງ: 2.6-3.6 micron

Pຊື່ຜະລິດຕະພັນ	ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບທົ່ວໄປ					ການວິເຄາະທາງເຄມີ Proximate
ຊິລິໂຄນຄາໄບ	ສີ	ຮູບຮ່າງເມັດພືດ	ເນື້ອໃນແມ່ເຫຼັກ	ຄວາມແຂງ	ກາວິທັດສະເພາະ	SiC	98.58 %	Fe	0.11 %
	ດຳ	ມຸມ	0.2 – 0.5 %	9.5 Mohs	3.2	C	0.05 %	Al	0.02 %
						Si	0.80 %	CaO	0.03 %
						SiO2	0.30 %	MgO	0.05 %